casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W128GSH70ZA6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W128GSH70ZA6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W128GSH70ZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GSH70ZA6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GSH70ZA6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W128GSH70ZA6F TR-FT |
M29F200FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M6T TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel