casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W160EB70ZA6
Número de pieza del fabricante | M29W160EB70ZA6 |
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Número de parte futuro | FT-M29W160EB70ZA6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160EB70ZA6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160EB70ZA6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W160EB70ZA6-FT |
M29F200FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6T TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel