casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24M02-DRMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24M02-DRMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24M02-DRMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24M02-DRMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | 450ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24M02-DRMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24M02-DRMN6TP-FT |
W978H2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E TR
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W979H6KBVX2I TR
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W97AH2KBVX2E
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W97AH6KBVX2E
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W97AH6KBVX2I TR
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2E
Winbond Electronics
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
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5SGXMA5K2F35C3N
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XC4028XL-1BG256C
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A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel