casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W97BH2KBVX2E
Número de pieza del fabricante | W97BH2KBVX2E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-W97BH2KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W97BH2KBVX2E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W97BH2KBVX2E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W97BH2KBVX2E-FT |
W25M02GVTCIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q256JVCIM
Winbond Electronics
W25Q256JVCIM TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel