casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W979H6KBVX2E TR
Número de pieza del fabricante | W979H6KBVX2E TR |
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Número de parte futuro | FT-W979H6KBVX2E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H6KBVX2E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H6KBVX2E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W979H6KBVX2E TR-FT |
W9725G8KB-25 TR
Winbond Electronics
W9725G8KB25I
Winbond Electronics
W9725G8KB25I TR
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W25M02GVTCIG TR
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W25M512JVCIQ
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W25M512JVCIQ TR
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XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144
Microsemi Corporation
AT40K20-2CQC
Microchip Technology
10M08SCE144C8G
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
5CGXFC5F7M11C8N
Intel
A42MX09-2PQG160
Microsemi Corporation
5CGXFC3B6F23C6N
Intel
EPF10K50VRI240-4N
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel