casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W978H2KBVX2I
Número de pieza del fabricante | W978H2KBVX2I |
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Número de parte futuro | FT-W978H2KBVX2I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W978H2KBVX2I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W978H2KBVX2I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W978H2KBVX2I-FT |
W9725G8KB-18
Winbond Electronics
W9725G8KB-18 TR
Winbond Electronics
W9725G8KB-25
Winbond Electronics
W9725G8KB-25 TR
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W9725G8KB25I
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W9725G8KB25I TR
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W9751G8KB-25 TR
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W9751G8KB25I
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W9751G8KB25I TR
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W25M02GVTCIG TR
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XC3S1000-4FGG320I
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M1A3P600L-FG484I
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M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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