casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W979H6KBVX2I TR
Número de pieza del fabricante | W979H6KBVX2I TR |
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Número de parte futuro | FT-W979H6KBVX2I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H6KBVX2I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H6KBVX2I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W979H6KBVX2I TR-FT |
W9725G8KB25I
Winbond Electronics
W9725G8KB25I TR
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W9751G8KB-25 TR
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel