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IXYS IXTU01N100D

Número de pieza de MFG
IXTU01N100D
Cantidad disponible
40920 Piezas
Precio de referencia
USD 0.9632
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTU01N100D Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 120pF @ 25V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTU01N100D Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTU01N100D-FT

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