casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTQ36N50P
Número de pieza del fabricante | IXTQ36N50P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTQ36N50P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHV™ |
IXTQ36N50P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 540W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ36N50P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTQ36N50P-FT |
IXKP13N60C5
IXYS
IXKP20N60C5
IXYS
IXKP35N60C5
IXYS
IXTP02N50D
IXYS
IXTP102N15T
IXYS
IXTP10N60PM
IXYS
IXTP110N055P
IXYS
IXTP110N055T
IXYS
IXTP12N50PM
IXYS
IXTP152N085T
IXYS
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel