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IXYS IXTQ200N10T

Name: IXTQ200N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ200N10T
Price: 4.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (128 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTQ200N10T

Cantidad disponible: 27460 Piezas

Precio de referencia: USD 4.504

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fabricante: IXYS

Breve descripción: TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTQ200N10T.pdf

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IXTQ200N10T Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTQ200N10T
Número de parte futuro	FT-IXTQ200N10T
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMV™
IXTQ200N10T Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	9400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	550W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTQ200N10T Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTQ200N10T-FT

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