casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXKP10N60C5
Número de pieza del fabricante | IXKP10N60C5 |
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Número de parte futuro | FT-IXKP10N60C5 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IXKP10N60C5 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 790pF @ 100V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKP10N60C5 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXKP10N60C5-FT |
IXFP110N15T2
IXYS
IXFP12N50P
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LFXP6E-4T144I
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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