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IXYS IXFP180N10T2

Name: IXFP180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2
Price: 3.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (245 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFP180N10T2

Cantidad disponible: 79210 Piezas

Precio de referencia: USD 3.024

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fabricante: IXYS

Breve descripción: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFP180N10T2.pdf

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IXFP180N10T2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFP180N10T2
Número de parte futuro	FT-IXFP180N10T2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFP180N10T2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	480W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP180N10T2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFP180N10T2-FT

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