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IXYS IXFQ10N80P

Name: IXFQ10N80P
Brand: IXYS
SKU: IXFQ10N80P
Price: 2.232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (432 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFQ10N80P

Cantidad disponible: 69500 Piezas

Precio de referencia: USD 2.232

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFQ10N80P.pdf

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IXFQ10N80P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFQ10N80P
Número de parte futuro	FT-IXFQ10N80P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarHT™
IXFQ10N80P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2050pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ10N80P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFQ10N80P-FT

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