casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFQ140N20X3
Número de pieza del fabricante | IXFQ140N20X3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFQ140N20X3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFQ140N20X3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 140A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 127nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7660pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 520W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ140N20X3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFQ140N20X3-FT |
IXFP3N80
IXYS
IXFP5N50PM
IXYS
IXFP7N80PM
IXYS
IXFP8N50PM
IXYS
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel