casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH6200TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH6200TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH6200TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH6200TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10890pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH6200TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH6200TRPBF-FT |
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