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Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1

Name: IGT60R070D1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R070D1ATMA1
Price: 12.959184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (580 reviews)

Número de pieza de MFG: IGT60R070D1ATMA1

Cantidad disponible: 65010 Piezas

Precio de referencia: USD 12.959184

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IGT60R070D1ATMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IGT60R070D1ATMA1
Número de parte futuro	FT-IGT60R070D1ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolGaN™
IGT60R070D1ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	380pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R070D1ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IGT60R070D1ATMA1-FT

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