casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI60R190C6XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI60R190C6XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI60R190C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI60R190C6XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 151W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI60R190C6XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI60R190C6XKSA1-FT |
BSF050N03LQ3GXUMA1
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Xilinx Inc.
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EP4CE55F23C9LN
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EP3C80F780I7N
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