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Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1

Name: IGT60R190D1SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R190D1SATMA1
Price: 7.017928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (415 reviews)

Número de pieza de MFG: IGT60R190D1SATMA1

Cantidad disponible: 18040 Piezas

Precio de referencia: USD 7.017928

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IGT60R190D1SATMA1.pdf

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IGT60R190D1SATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IGT60R190D1SATMA1
Número de parte futuro	FT-IGT60R190D1SATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolGaN™
IGT60R190D1SATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	157pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	55.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R190D1SATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IGT60R190D1SATMA1-FT

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