casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IGT60R190D1SATMA1
Número de pieza del fabricante | IGT60R190D1SATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IGT60R190D1SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolGaN™ |
IGT60R190D1SATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | -10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 157pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 55.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-HSOF-8-3 |
Paquete / Caja | 8-PowerSFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGT60R190D1SATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IGT60R190D1SATMA1-FT |
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