casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R2K0P7SAKMA1
Número de pieza del fabricante | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 130pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 17.6W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3-347 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPSA70R2K0P7SAKMA1-FT |
IPI600N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R165CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel