casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPS80R600P7AKMA1
Número de pieza del fabricante | IPS80R600P7AKMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPS80R600P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPS80R600P7AKMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 570pF @ 500V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS80R600P7AKMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPS80R600P7AKMA1-FT |
IPI530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI600N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R165CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel