casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH6200TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFH6200TR2PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFH6200TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH6200TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10890pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH6200TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH6200TR2PBF-FT |
IPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.