casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5406TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFH5406TR2PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFH5406TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5406TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1256pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5406TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH5406TR2PBF-FT |
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDAFKSA1
Infineon Technologies
IPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation