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Infineon Technologies IRF7702GTRPBF

Número de pieza de MFG
IRF7702GTRPBF
Cantidad disponible
28050 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF7702GTRPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7702GTRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3470pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Paquete / Caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7702GTRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF7702GTRPBF-FT

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