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NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518

Name: PHM30NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM30NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (390 reviews)

Número de pieza de MFG: PHM30NQ10T,518

Cantidad disponible: 54430 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHM30NQ10T,518.pdf

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PHM30NQ10T,518 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHM30NQ10T,518
Número de parte futuro	FT-PHM30NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHM30NQ10T,518 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	37.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	53.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3600pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HVSON (6x5)
Paquete / Caja	8-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM30NQ10T,518 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHM30NQ10T,518-FT

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