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NXP USA Inc. PHM15NQ20T,518

Número de pieza de MFG
PHM15NQ20T,518
Cantidad disponible
77650 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante PHM15NQ20T,518
Número de parte futuro FT-PHM15NQ20T,518
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHM15NQ20T,518 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2170pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HVSON (6x5)
Paquete / Caja 8-VDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM15NQ20T,518 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PHM15NQ20T,518-FT

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