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Infineon Technologies SPB02N60C3ATMA1

Name: SPB02N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB02N60C3ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5.0 (673 reviews)

Número de pieza de MFG: SPB02N60C3ATMA1

Cantidad disponible: 51630 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPB02N60C3ATMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	SPB02N60C3ATMA1
Número de parte futuro	FT-SPB02N60C3ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
SPB02N60C3ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	200pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB02N60C3ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPB02N60C3ATMA1-FT

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