casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHM21NQ15T,518
Número de pieza del fabricante | PHM21NQ15T,518 |
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Número de parte futuro | FT-PHM21NQ15T,518 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHM21NQ15T,518 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2080pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HVSON (6x5) |
Paquete / Caja | 8-VDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHM21NQ15T,518 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PHM21NQ15T,518-FT |
SPB02N60S5ATMA1
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SPB03N60C3ATMA1
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