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NXP USA Inc. PHM18NQ15T,518

Name: PHM18NQ15T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM18NQ15T,518
Availability: InStock
Rating: 4.7 (187 reviews)

Número de pieza de MFG: PHM18NQ15T,518

Cantidad disponible: 36620 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHM18NQ15T,518.pdf

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PHM18NQ15T,518 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHM18NQ15T,518
Número de parte futuro	FT-PHM18NQ15T,518
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHM18NQ15T,518 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1150pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HVSON (6x5)
Paquete / Caja	8-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM18NQ15T,518 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHM18NQ15T,518-FT

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