casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7701GTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF7701GTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7701GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7701GTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5050pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7701GTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7701GTRPBF-FT |
TK16G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
DMS2120LFWB-7
Diodes Incorporated
DMS2220LFW-7
Diodes Incorporated
PHM12NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM15NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM18NQ15T,518
NXP USA Inc.
PHM21NQ15T,518
NXP USA Inc.
PHM25NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHM30NQ10T,518
NXP USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel