casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI45N06S4L08AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI45N06S4L08AKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI45N06S4L08AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI45N06S4L08AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 71W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI45N06S4L08AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI45N06S4L08AKSA1-FT |
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB012NE2LX
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BSB044N08NN3GXUMA1
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BSB053N03LP G
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BSB104N08NP3GXUSA1
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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A54SX16A-FGG256I
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel