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Infineon Technologies BSB053N03LP G

Número de pieza de MFG
BSB053N03LP G
Cantidad disponible
23530 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-BSB053N03LP G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSB053N03LP G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17A (Ta), 71A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2700pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja 3-WDSON
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB053N03LP G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSB053N03LP G-FT

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