casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSB053N03LP G
Número de pieza del fabricante | BSB053N03LP G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSB053N03LP G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB053N03LP G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Ta), 71A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2700pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquete / Caja | 3-WDSON |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB053N03LP G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSB053N03LP G-FT |
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel