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Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1

Número de pieza de MFG
BSB104N08NP3GXUSA1
Cantidad disponible
48060 Piezas
Precio de referencia
USD 0.5268
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSB104N08NP3GXUSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2100pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja 3-WDSON
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB104N08NP3GXUSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSB104N08NP3GXUSA1-FT

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