casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2817-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2817-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2817-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2817-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2817-TR2G-FT |
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
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BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
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BAR9002LRHE6327XTSA1
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BAT1502LRHE6327XTSA1
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BAT6202LE6327XTMA1
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BAT 62-09S E6327
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
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XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
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5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel