casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR8802LRHE6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAR8802LRHE6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAR8802LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 80V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-882 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR8802LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel