casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GE28F160C3TD70A
Número de pieza del fabricante | GE28F160C3TD70A |
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Número de parte futuro | FT-GE28F160C3TD70A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GE28F160C3TD70A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - Boot Block |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 46-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 46-VFBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GE28F160C3TD70A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GE28F160C3TD70A-FT |
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
HYB25D128800CE-6
NXP USA Inc.
HYB18T1G800BF-3S
Macronix
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel