casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / HYB25D512800CE-5
Número de pieza del fabricante | HYB25D512800CE-5 |
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Número de parte futuro | FT-HYB25D512800CE-5 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HYB25D512800CE-5 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 90ns |
Tiempo de acceso | 90ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-SOP (0.524", 13.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-SSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HYB25D512800CE-5 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HYB25D512800CE-5-FT |
BR25L020FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L080F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L640F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L66RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel