casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25L640F-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25L640F-WE2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BR25L640F-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L640F-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L640F-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25L640F-WE2-FT |
BR24G02FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G08FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G32FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel