casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / HYB25D128800CE-6
Número de pieza del fabricante | HYB25D128800CE-6 |
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Número de parte futuro | FT-HYB25D128800CE-6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HYB25D128800CE-6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HYB25D128800CE-6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HYB25D128800CE-6-FT |
BR25L020FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L040F-WE2
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BR93L76RFVJ-WE2
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
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A3PN060-VQ100
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EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
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5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel