casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / HYB18T1G800BF-3S
Número de pieza del fabricante | HYB18T1G800BF-3S |
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Número de parte futuro | FT-HYB18T1G800BF-3S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx05/06 |
HYB18T1G800BF-3S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 86MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 300µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HYB18T1G800BF-3S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HYB18T1G800BF-3S-FT |
BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L080F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L640F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L66RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L76RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L86RFVM-WTR
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel