casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Número de pieza del fabricante | RMLV0816BGSA-4S2#KA0 |
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Número de parte futuro | FT-RMLV0816BGSA-4S2#KA0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RMLV0816BGSA-4S2#KA0-FT |
BR25L010FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L020F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L080F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L640F-WE2
Rohm Semiconductor
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
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EP4CE15F17A7N
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ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel