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GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247

Número de pieza de MFG
GA50JT12-247
Cantidad disponible
33930 Piezas
Precio de referencia
USD 83.4
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Fecha de envío
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fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
- TRANS SJT 1.2KV 50A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Número de pieza del fabricante GA50JT12-247
Número de parte futuro FT-GA50JT12-247
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GA50JT12-247 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7209pF @ 800V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 583W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AB
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA50JT12-247 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GA50JT12-247-FT

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