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Infineon Technologies IRL40T209ATMA1

Name: IRL40T209ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL40T209ATMA1
Price: 2.80896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (542 reviews)

Número de pieza de MFG: IRL40T209ATMA1

Cantidad disponible: 87140 Piezas

Precio de referencia: USD 2.80896

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRL40T209ATMA1.pdf

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IRL40T209ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRL40T209ATMA1
Número de parte futuro	FT-IRL40T209ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	StrongIRFET™
IRL40T209ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	269nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	16000pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL40T209ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRL40T209ATMA1-FT

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