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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2
Price: 1.510168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (256 reviews)

Número de pieza de MFG: IAUT165N08S5N029ATMA2

Cantidad disponible: 49160 Piezas

Precio de referencia: USD 1.510168

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

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IAUT165N08S5N029ATMA2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IAUT165N08S5N029ATMA2
Número de parte futuro	FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	165A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6370pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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