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Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1

Name: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT260N10S5N019ATMA1
Price: 2.297728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (663 reviews)

Número de pieza de MFG: IAUT260N10S5N019ATMA1

Cantidad disponible: 50520 Piezas

Precio de referencia: USD 2.297728

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™-5 MOSFET75V120V

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf

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IAUT260N10S5N019ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IAUT260N10S5N019ATMA1
Número de parte futuro	FT-IAUT260N10S5N019ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™-5
IAUT260N10S5N019ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	260A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 210µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	166nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	11830pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT260N10S5N019ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IAUT260N10S5N019ATMA1-FT

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