casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IAUT240N08S5N019ATMA1
Número de pieza del fabricante | IAUT240N08S5N019ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IAUT240N08S5N019ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™-5 |
IAUT240N08S5N019ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 240A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 160µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9264pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 230W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-HSOF-8-1 |
Paquete / Caja | 8-PowerSFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT240N08S5N019ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IAUT240N08S5N019ATMA1-FT |
IPI60R600CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel