casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA06JT12-247
Número de pieza del fabricante | GA06JT12-247 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA06JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA06JT12-247 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) (90°C) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 6A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AB |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA06JT12-247 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA06JT12-247-FT |
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation