casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB3P20TM
Número de pieza del fabricante | FQB3P20TM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQB3P20TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB3P20TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB3P20TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQB3P20TM-FT |
FDB035AN06A0-F085
ON Semiconductor
FDB039N06
ON Semiconductor
FDB075N15A_SN00284
ON Semiconductor
FDB088N08_F141
ON Semiconductor
FDB10AN06A0
ON Semiconductor
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor
FDB14AN06LA0
ON Semiconductor
FDB20AN06A0
ON Semiconductor
FDB24AN06LA0
ON Semiconductor
FDB2570
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel