casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB088N08_F141
Número de pieza del fabricante | FDB088N08_F141 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB088N08_F141 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB088N08_F141 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6595pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 160W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB088N08_F141 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB088N08_F141-FT |
FDB12N50FTM-WS
ON Semiconductor
FDB15N50
ON Semiconductor
FDB52N20TM
ON Semiconductor
FDB8442-F085
ON Semiconductor
FQB11P06TM
ON Semiconductor
FQB19N20LTM
ON Semiconductor
FQB6N40CTM
ON Semiconductor
FDB035AN06A0
ON Semiconductor
FDB045AN08A0
ON Semiconductor
FDB050AN06A0
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel