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ON Semiconductor FDB12N50UTM_WS

Número de pieza de MFG
FDB12N50UTM_WS
Cantidad disponible
18720 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
FRFET® MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Número de parte futuro FT-FDB12N50UTM_WS
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie FRFET®
FDB12N50UTM_WS Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1395pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB12N50UTM_WS Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDB12N50UTM_WS-FT

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