casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB8030L
Número de pieza del fabricante | FDB8030L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB8030L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB8030L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10500pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 187W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB8030L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB8030L-FT |
FDFMA3N109
ON Semiconductor
FDFMA2N028Z
ON Semiconductor
FDMA86551L
ON Semiconductor
FDMA410NZT
ON Semiconductor
FDFMA2P853T
ON Semiconductor
FDFMA2P857
ON Semiconductor
FDFMA2P859T
ON Semiconductor
FDFME3N311ZT
ON Semiconductor
FDFMJ2P023Z
ON Semiconductor
FDFM2N111
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel